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第一作者：主要陈海阳,张睿通讯作者：李耀文，高峰通讯单位：苏州大学、瑞典林雪平大学论文doi：https://doi.org/10.1038/s41560-021-00923-5本文由温华供稿。由此可知，集体BTO分子的强共面性有助于Y6中BT单元的有序排列，提高结晶度。

在PM6：退房Y6共混物中加入20%BTO后，IP(100)(44.29Å)和OOP(010)(54.90 Å)的CCL值与PM6：Y6(CB)共混物(23.60 Å和32.48Å)相比明显增大。因此，不涨本工作在所得薄膜中沿Y6分子的BT单元得到了有序排列，诱导了具有择优取向的高结晶度。根据Flory-Huggins模型，主要PCEs下降主要是由于给体和/或受体材料在高沸点溶剂中的溶解度差，导致严重的相分离。

Voc增强可归因于BTO的加入显著抑制了非辐射复合损耗，集体再次证明BTO的加入可提高Y6的结晶度。同时，退房本工作还发现BTO可以通过与Y6之间的范德华分子相互作用将Y6在CB中的溶解度从16.21mg ml-1提高到26.90mg ml-1。

2D1H-1H-NOESY核磁共振结果表明，不涨Y6和BTO之间存在强烈的分子间相互作用，由Y6的脂肪族取代基-C11H23和BTO的CH介导

在今年初的某次会议上，主要中国家用电器协会理事长姜风明确表示，主要在宏观经济增速放缓、消费周期和住宅市场比较低迷的情况下，家电行业仍然保证了利润、利税的双增长，主要得益于近几年来家电行业转型升级取得积极成果，产品结构得到了调整，家电行业近年来加大研发和技术改造的投入，在产品创新和品质提升方面均取得了长足的进步，高端产品的比重增加，企业的利润空间得到了提升。梯形WS2单晶的最长边缘是沿蓝宝石方向的锯齿状边缘，集体而不是沿蓝宝石表面的台阶边缘方向。

尽管已经报道了晶圆级石墨烯和六方氮化硼在金属表面的外延生长，退房但由于生长动力学的显著差异，这些技术不适用于在绝缘基底上生长TMD。基于理论分析和密度泛函理论(DFT)计算，不涨本工作发现WS2晶畴在a-Al2O3表面的外延生长受双重耦合诱导机制控制。

第一个驱动力是WS2和a面蓝宝石之间的耦合，主要它导致WS2晶畴的两个反平行排列。成果简介北京大学刘开辉、集体韩国蔚山基础科学研究院丁峰、集体复旦大学吴施伟、北京理工大学赵芸以及华南师范大学徐小志课题组合作，报道了2in（英寸）单层单晶WS2在a面蓝宝石衬底上成功的外延生长。